专利名称：衬底及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：王桂磊,亨利·H·阿达姆松,罗军,李俊峰,赵超申请号：CN201510708519.X申请日：20151027公开号：CN106611739A公开日：20170503
摘要：本发明提供了一种衬底及其制造方法，包括：提供辅助衬底和支撑衬底，所述辅助衬底上至少包括缺陷消除结构、所述缺陷消除结构之上外延层及所述外延层之上的钝化层，所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层；将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上；去除所述辅助衬底；进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。由于该缺陷消除结构能减少外延层缺陷，该钝化层能有效保减小该外延层在键合过程中受到的损伤，避免外延层中产生大量的缺陷，提升利用该外延层制造器件的性能及可靠性。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京维澳专利代理有限公司
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