专利名称：气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法专利类型：发明专利发明人：常永勤,俞大鹏申请号：CN200810103467.3申请日：20080407公开号：CN101311366A公开日：20081126
摘要：一种气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明将高纯Mn粉放置在三氧化二铝坩埚中，清洗后的镀金膜硅片覆盖在Mn源正上方，镀膜硅片与蒸发源的垂直距离为1～2mm，再一起放入水平管式炉中；将炉温升至900～1000℃后保温2～4h，膜生长过程中充入流量为50～150ml/min的氩气，生长结束后自然冷却至室温。本发明在镀有金膜的硅片上获得大量高纯度的MnO纳米线，制备的MnO纳米线为四方结构，纳米线的直径约50～260nm，长度为8～12μm，具有高的结晶质量，其生长方向为[211]。磁学测量结果表明：一维MnO纳米线的居里温度和矫顽力均高于体材料。
申请人：北京科技大学
地址：100083 北京市海淀区学院路30号
国籍：CN
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