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气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法[发明专利]

2020-03-16 来源:易榕旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法专利类型:发明专利发明人:常永勤,俞大鹏申请号:CN200810103467.3申请日:20080407公开号:CN101311366A公开日:20081126

摘要:一种气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明将高纯Mn粉放置在三氧化二铝坩埚中,清洗后的镀金膜硅片覆盖在Mn源正上方,镀膜硅片与蒸发源的垂直距离为1~2mm,再一起放入水平管式炉中;将炉温升至900~1000℃后保温2~4h,膜生长过程中充入流量为50~150ml/min的氩气,生长结束后自然冷却至室温。本发明在镀有金膜的硅片上获得大量高纯度的MnO纳米线,制备的MnO纳米线为四方结构,纳米线的直径约50~260nm,长度为8~12μm,具有高的结晶质量,其生长方向为[211]。磁学测量结果表明:一维MnO纳米线的居里温度和矫顽力均高于体材料。

申请人:北京科技大学

地址:100083 北京市海淀区学院路30号

国籍:CN

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