专利名称：从电源VDD到IO管脚之间的一种新型NMOS箝位
及其应用方法
专利类型：发明专利发明人：胡煜
申请号：CN200910133598.0申请日：20090413公开号：CN101859766A公开日：20101013
摘要：本发明提出一种半导体工业中防止静电放电至集成电路(IC)的保护网络。更确切地说，它是提供从电源(VDD或VSS)线到IO管脚之间一种新型NMOS箝位静电保护器件和系统，同时IO管脚也可承受高于电源电位的电压。使用传统的NMOS使其源端接VDD漏端接输入输出管脚(HV-pad)，其p+的基底在静电的冲击下呈悬浮状态，一种耐高压的静电放电保护(HVESD)就此得以形成，该设置不仅保护了内部环路，而且不受两个节点上的电压差和上电下电所产生的后果的干扰，并且这一设置也可用于热插拔之需，这就意味着在电源开启状态下插入这样的装置，就不会介入任何明显的瞬态漏电流。
申请人：苏州芯美微电子科技有限公司
地址：215300 江苏省昆山市伟业路18号现代广场A-503室
国籍：CN
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